前田 瑛里香 さん がALD/ALE 2020でJVST A Best ALD Paper Awardを受賞

GaNパワーデバイスのゲート絶縁膜として、Atomic layer deposition (ALD)法で作製したHfSiOx及びAlSiOxのようなシリケート膜が注目されています。Atomic layer deposition(ALD)法によるHfO2/SiO2及びAl2O3/SiO2ナノラミネート構造を有する成膜に関して、HfO2及びAl2O3下地基板上へのSiO2の成長メカニズムを解析し、膜質の向上を図ることを目的とし研究を進めています。
本論文では、HfO2、Al2O3、SiO2及びTiO2の下地基板上のSiO2成長速度を調べ、その結果から下地基板の電気陰性度がSiO2成長速度に影響を及ぼすことを明らかにしました。
今後は、他の下地基板に関するSiO2成長速度も検討し、GaNパワーデバイスのゲート絶縁膜の性能向上に寄与するため、更なるメカニズムの解析を進める予定です。