泉沢 錬 さん が第84回半導体?集積回路技術シンポジウムで半導体?集積回路技術シンポジウム学生優秀発表賞を受賞

2020/10/27
  • 電気電子情報工学専攻
【受賞者】
泉沢 錬 さん(電気電子情報工学専攻1年)

【指導教員】
上野 和良 教授(電子工学科)

【学会?大会名】
第84回半導体?集積回路技術シンポジウム

【賞名】
半導体?集積回路技術シンポジウム学生優秀発表賞

【発表題目】
窒素添加ニッケル触媒を用いた電流印加固相析出法による多層グラフェン形成




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【研究目的】
グラフェンは、従来の金属よりもナノサイズでの抵抗が低く、大電流が流せるため、次世代の電気を通す材料として注目されています。本研究は、そのようなグラフェンをデバイスに使えるようにするため、結晶性の良い高品質の多層グラフェン膜をつくることを目的にしています。

【研究内容】
デバイスの上に直接、多層グラフェン膜を堆積できる固相析出法*において、触媒のニッケルに窒素を混ぜることで、窒素がない場合よりも結晶性の良いグラフェン膜をつけられることを初めて明らかにしました。

*固相析出法: 金属(ここではニッケル)の中の過剰な元素(ここでは炭素)を金属表面に膜として析出させる成膜方法で実用性が高いと期待されています

【今後の展望】
今後、多層グラフェンを用いた高性能デバイスの実現に向けて、一様な膜の形成とメカニズムの解明をすすめていく予定です。


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