MUC21 ASE-SRE

仕様

一般名：　シリコン深掘り装置（Deep RIE）Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine
メーカー名：　SPP technologies
型番：　MUC21 ASE-SRE
掘れる材質：　シリコン基板に対してチューニングされているため、他の基板を掘ることは難しいです。
その掘る手法：　Boschプロセス
プロセスガス：　①C4F8　②SF6　③O2　④Ar　⑤He
【概要】
　シリコン基板上に厚膜レジストもしくは酸化膜（シリコン基板の場合）でマスクを形成し、マスクの無いところをガスエッチングします。
　電場でエッチングガス（SF6）のイオンは垂直加速されますので、ある程度は垂直に掘れます。
　数ミクロンから十数ミクロン程度掘るのであれば、それだけでも良いのですが、数十ミクロンから数百ミクロンを垂直に掘るためには、
　この垂直ガスエッチングと、掘っている側壁へのC4F8ガスのプラズマ堆積による防護膜（passivation膜）の成膜を交互に繰り返すことで、
　少し垂直に掘っては側壁に保護膜を付け、また垂直に掘っては側壁を保護するということを繰り返し、数百ミクロンの垂直掘りが可能になります。